功能描述：TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI

制造商：epc

系列：eGaN?

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）：100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 80μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：0.12nC @ 5V

Vgs（最大值）：+6V，-4V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：14pF @ 50V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：-

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：550 毫欧 @ 100mA，5V

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：模具

封装/外壳：模具

标准包装：1

EPC2038ENGR

EPC2039ENGRT

EPC2100ENG

EPC2101ENG

EPC2102ENG

EPC2103ENG

EPC2104ENG

EPC2105ENG

EPC2106ENGRT

EPC2107ENGRT